주말 아침에 멍때리고 유튜브 틀어놓고 있다가 기타 앰프 만드는 양덕이 올린 영상이 있길래 봤더니 12AX7 대신에 Depletion (공핍형) NMOS인 LND150을 그대로 넣어도 큰 문제없다는 영상이었습니다. 새로 나온게 아니고 몇 년 전 영상인데요, 사실 MOSFET을 잘 이해하지 못하는데 JFET, DFET은 더 모릅니다만, 저에겐 LTspice가 있기 때문에 무조건 때려넣을 수 있습니다. ^^ LTspice가 있어서 공부를 안 하는 단점은 있지만 어차피 공부를 하려고 앰프를 만드는게 아니고 그냥 머리 비운채 납땜해서 멍 때리면서 음악 듣는게 주인지라…
실험 대상은 C22 Phono입니다. 12AX7 세 알을 쓰는 회로인데 시뮬레이션 해보면 이렇습니다.
저 3곳의 12AX7에 모두 LND150을 때려 넣으면 이렇습니다.
LND150을 쓰기 위해서는 맨 아래 보이는 모델을 한 줄 추가해줘야 합니다.
.model LND150h VDMOS (Rg=100 Vto=-1.4 Lambda=0m Rs=70 Kp=3m Ksubthres=95m Mtriode=0.6 Rd=300 Bex=-2 Vtotc=-5m Tksubthres1=3m Trs1=2.6m Trd1=3m Cgdmax=5p Cgdmin=3p a=0.3 Cgs=3p Cjo=15p m=0.7 VJ=0.75 IS=15p N=1.5 EG=1.1 Rb=100 Vds=400 Ron=600 mfg=IHKT1911)
아무 것도 안 바꾸고 그냥 무식하게 집어 넣었더니 전압 강하가 다르기 때문에 나타나는 전압이 다르네요. 파형은 12AX7 회로에서 이렇게 나옵니다.
5mV를 넣었을 때 약 80배 증폭됩니다.
LND150 회로에서는 파형이 이렇게 나옵니다.
증폭률은 거의 유사합니다. 왜곡은 차이가 있습니다.
주파수 응답 특성은 어떨까요?
20Hz에서 20dB, 1KHz에서 0dB가 나와야 할텐데 시뮬레이션이 좀 이상하네요. 그냥 1:1 비교만 하고 넘어가야 하겠습니다.
FRA도 큰 문제는 없어 보입니다.
LND150은 디지키에서 한 개에 880원밖에 안 하는 부품이기 때문에 하이파이가 아니고, 자꾸 진공관 혹사시켜서 잡아먹는 기타 앰프에서는 대안이 될 것 같습니다.
댓글